2017년 3D NAND 투자의 빅싸이클(Big Cycle) 진행 → 삼성전자의 3D NAND 투자는 더욱 가속되며 당초 전망보다 투자규모 는 확대 예상 → SK하이닉스는 3D NAND 경쟁력 강화를 통해 2017년에 본격적인 투자에 나설 전망
§ 2017년 메모리반도체산업의 중심에는 3D NAND가 지속적으로 차지할 전망. 현재 산업 전반적으로 시작되고 있는 ‘제4차 산업혁명’의 핵 심인 인공지능 플랫폼기반의 새로운 서비스들은 대용량의 데이터를 유통하고 콘텐츠를 소비하기 때문에, 저장메모리 수요가 크게 증가하 면서 대규모 서버 투자의 필요성이 증대하고 있음. 따라서, 글로벌 반도체업체들의 3D NAND 투자는 더욱 확대될 것으로 판단
§ 2016년에 시작된 메모리반도체업체들의 3D NAND 투자 경쟁은 2017년에 확대될 전망. 우선적으로, 삼성전자는 1Q17부터 16-2라인에 서 월 4만장의 CAPA를 가동하며 3D NAND시장을 주도해 나갈 것이며, 시장 수요 확대에 적극적으로 대응하기 위해 평택반도체라인의 가동시점을 앞당겨 진행해 2017년에 총 월 8만장의 CAPA를 가동할 것으로 예상됨
§ SK하이닉스 역시 4Q16부터 48단 3D NAND의 양산을 시작하면서 2017년에는 3D NAND에 대한 투자를 확대할 것으로 판단됨. 청주 2D NAND라인을 3D NAND로 전환하는 투자를 지속할 뿐만 아니라, M14라인에서 3D NAND 전용라인 투자를 월 4만장 규모로 진행할 것으로 전망됨
§ 일본 Toshiba는 Yokaichi FAB2에서 3D NAND로 전환하는 투자를 2016년부터 진행하고 있으며, 전용라인인 신규 FAB은 2017년에 건 설해서 2018년부터 본격적으로 양산할 계획. Toshiba는 2018년까지 3D NAND 중심으로 8,600억엔(약 9.35조원)을 투자할 것이라고 발표함. 미국의 Micron Technology 역시 3D NAND 생산을 싱가폴 FAB 10X에서 2H16부터 본격 가동할 계획. 총 투자규모는 US$40 억(약 4.58조원)을 상회하며, 2D라인을 3D라인으로 전환하여 진행함. 지금까지 NAND 플래시메모리 사업을 Micron Technology와 함께 진행해 왔던 Intel은 중국 대련(Dailen)에 단독으로 US$55억(약 6.3조원)을 투자해서 2H16부터 양산할 전망. 차세대 성장동력으로 스토리지 및 클라우드시스템 사업부에 집중하고 있는 Intel은 경쟁력 강화를 위해 3D NAND 투자에 독자적으로 나서고 있는 것으로 판단
§ 글로벌 메모리반도체들의 3D NAND 투자 확대로 2016년 전체 투자규모는 31.2%yoy 증가한 US$118.2억(13.53조원)에 이를 것이며, 2017년에는 24.2%yoy 증가한 US$146.8억(16.8조원)을 달하며 사상최대를 기록할 것으로 예상됨
2017년 DRAM산업은 투자축소효과로 호조세를 지속할 전망 → 2Q17부터 DRAM가격 상승세로 전환될 것으로 예상
§ 2017년 DRAM산업은 공급업체들의 투자축소효과가 나타나면서 공급물량 증가세 약화와 완만한 수요 개선 등으로 호조세를 지속할 것으 로 판단됨. 즉, 2017년 업황은 수요요인보다 공급요인에 의해 호조세를 지속하는 특성을 보일 것으로 예상
- 2017년 PC 판매량은 2.0% 감소한 2.56억대를 기록하며 역성장세가 둔화될 것이고, 스마트폰 판매량(16.31억대) 역시 7.4%yoy 증가로 완만하게 회복될 것으로 판단됨에 따라, DRAM 수요 증가율은 22% 증가할 전망
- 2017년 DRAM 공급증가율은 2Q15 이후 진행된 DRAM 업황 악화로 공급업체들의 투자축소와 공정전환의 어려움, 이에 따른 제한적 물량 공급 등으로 19%yoy를 기록할 것으로 예상. 삼성전자는 18nm 공정전환을 상대적으로 순조롭게 진행하겠지만, 20nm 전환에 어려움을 겪었던 SK하이닉스와 미국 Micron Technology의 18nm 전환시점이 상대적으로 늦어지면서 DRAM 공급증가는 제한적으로 이루어질 것으로 예상됨
§ 2017년 DRAM가격은 계절적 비수기인 1Q17 이후 회복세로 전환될 것으로 판단됨. 글로벌 IT 수요가 견조한 가운데, 공급업체들의 투자 축소효과가 크게 나타나면서 DRAM가격은 2Q17부터 상승세로 전환될 것이며, 특히 2H17로 갈수록 가격 강세는 이어질 것으로 예상됨
2017년 3D NAND 투자가 당초 예상보다 크게 확대되면서 반도체 장비업체/소재업체들의 전성시대 예상 Ò 1H17 반도체 장비업 체들 투자모멘텀 부각 + 2017년 반도체 소재업체 투자는 'must-have' Ò Top Picks: 삼성전자, SK하이닉스, SK머티리얼즈, 이엔에프테크놀로지, 원익IPS, 테스
§ 2013년 8월 3D NAND 양산을 발표한 삼성전자는 1Q14부터 중국에서 본격적으로 생산하면서 3D NAND 시장에서 독주하고 있음. 데이 터의 대용량화와 막대한 데이터의 이동이 필수적인 ‘제4차 산업혁명’에 맞춰 3D NAND에 선제적으로 투자한 삼성전자와 후발업체들과의 기술격차가 3년 벌어진 것으로 평가되고 있으며, 2016년에 이어 2017년에도 공격적인 투자에 나서면서 삼성전자의 시장지배력은 더욱더 강화될 전망. 반도체산업의 대형주 Top Pick으로 ‘삼성전자’를 추천함
§ SK하이닉스 역시 2H16부터 3D NAND 경쟁력을 강화하면서 2017년 실적 성장에 대한 가시성을 높여주고 있음. 2017년 SK하이닉스의 실적은 DRAM산업 호조 속에서 3D NAND 경쟁력 강화를 통한 수익성 개선으로 크게 개선될 것으로 전망됨에 따라, 중장기적인 관점에 서 매수 추천함
§ 주요 반도체업체들의 공격적인 3D NAND 투자로 1H17 반도체 장비업체들에 대한 투자모멘텀이 크게 부각될 전망. 따라서, 주가 조정을 받고 있는 현 시점이 투자의 적기(適期)로 판단됨. 당사는 삼성전자와 SK하이닉스의 3D NAND 투자에서 가장 큰 수혜를 받는 반도체 장 비업체 중에서 기술경쟁력이 높은 ‘원익IPS’와 ‘테스’, ‘주성엔지니어링’에 대해 주목할 것을 권고함
§ 지금부터는 2H16 이후 3D NAND 신규라인의 대규모 가동으로 실적이 크게 개선되는 동시에 Valuation 매력도가 높은 반도체 소재업체 들을 2017년에는 반드시 투자해야 할 것으로 판단. 반도체 소재업체들의 실적이 반도체라인이 가동되는 시점부터 본격적으로 개선되기 때문에, 2017년 및 2018년 실적이 대폭 개선될 전망. 따라서, NF3 수요 증가에 의한 실적 성장 및 사업영역 확대를 가속하고 있는 ‘SK 머티리얼즈’와 반도체부문 실적이 지속적으로 개선되고 있는 ‘솔브레인’, TFT-LCD용 소재시장에서 안정적인 실적 기반을 바탕으로 반도 체용 소재에서 새로운 성장동력을 강화하고 있는 ‘이엔에프테크놀로지’, 국내 쿼츠부문에서 높은 시장 지배력을 확보하는 동시에 신규사업 을 확대하고 있는 ‘원익QnC’를 Top Picks로 추천함
메모리반도체 : 집적회로(Integrated Circuit) 중 정보를 저장하는 용도로 사용되는 반도체. 메모리반도체 에는 전력공급이 차단되면 데이터가 소실되는 휘발성메모리인 RAM과 전력공급과는 무관 하게 데이터가 보존되는 ROM이 있음
비메모리반도체 : 집적회로 중 연산, 논리 작업 등과 같은 정보처리를 목적으로 이용되는 반도체. 전자기기의 두뇌에 해당되는 Microprocessor와 특정한 용도로 주문 생산된 ASIC, 시스템 LSI로 구분됨
DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 임의 접근 기억 장치인 RAM(Random Access Memory)의 한 종류로 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하는 기억 장치. 축전기가 전자를 누 전하여 기억된 정보를 잃게 됨. 이를 방지하기 위해 항상 기억 장치의 내용을 일정 시간마 다 재생시켜야 하기 때문에 '동적(Dynamic)'이란 명칭이 주어짐. 정보를 유지하려면 지속 적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속함
낸드플래시 메모리 (Nand Flash Memory) : 전원이 꺼지면 저장된 자료가 사라지는 D램이나 S램과 달리 전원이 없는 상태에서도 메모 리에 데이타가 계속 저장되는 플래쉬메모리의 일종. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁 은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가능. 시스템반도체가 데이터를 우 선 인식하거나 연산하면, 단기 저장장치인 D램을 거쳐 낸드플래시에 저장됨
3차원 수직구조 낸드 (3D Vertical NAND) : 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높 인 플래시메모리 기술. 스마트폰, 디지털카메라 등의 기기에서 데이터를 저장하는 장치로 쓰이며, 기존 2차원 평면구조의 메모리 공정이 10나노급에 달해 셀 간 간격이 좁아져 전 자가 누설되는 현상이 심화되는 등 한계를 보이자 이를 극복하기 위한 대안으로 개발됨
SSD (Solid State Drive) : 반도체 메모리를 기반으로 하는 저장장치. 하드디스크(HDD)를 대체할 PC용 저장장치로, HDD가 모터와 기계적 구동장치가 달려 있어 소음이 발생하는 반면 SSD는 메모리반도체 로만 만들어져 소음이 나지 않음. 또한 데이터를 쓰고 읽는 속도가 HDD보다 3배 이상 빠 르고 외부 충격에도 강해 노트북 PC와 같은 휴대용 기기의 저장장치로 각광받고 있음
식각공정 (Etching) : 웨이퍼에 액체나 기체의 식각액을 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 공정으로, 동판화의 기법과 비슷한 원리로 반도체의 회로 패턴을 만드는 것임. 반도체를 구성하는 여 러층의 얇은 막에 회로 패턴을 만드는 과정을 반복하여 반도체의 구조가 형성되며, 포토공 정을 통해 부식 방지막을 형성하고, 부식액 역할을 하는 식각액으로 불필요한 회로를 벗겨 냄. 식각공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식(wet etching)과 건식(dry etching)으로 나뉨
증착공정 (Deposition) : 웨이퍼 위에 원하는 분자 또는 원자 단위의 물질을 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게 하는 공정. 증착의 방법에는 크게 물리적 기상증착방법(PVD)과 화학적 기상증착방법 (CVD)으로 나뉘게 됨. 증착 공정을 통해 형성된 박막은 크게 회로들 간 전기적인 신호를 연결해 주는 금속막(전도)층과 내부 연결층을 전기적으로 분리하거나 오염원으로부터 차 단시켜주는 절연막층으로 구분됨
노광공정 (Exposure) : 회로 패턴이 담긴 마스크에 빛을 통과시켜, 감광액 막이 형성된 웨이퍼 표면에 회로 패턴 을 그리는 공정으로, 웨이퍼 위에 마스크를 놓고 빛을 쪼아 주면 회로 패턴을 통과한 빛이 웨이퍼에 회로 패턴을 그대로 옮김
CMP공정 (Chemical Mechanical Polishing) : 64M DRAM 등 4세대급 이상의 고집적 반도체 제조공정에 사용되는 공정으로, 주로 0.35 미크론 이하의 초미세 회로 형성에 사용되며 화학 또는 기계적 방법을 이용하여 웨이퍼 표 면에 불필요한 박막층을 고효율적으로 연마하는 공정
2017년에는 3D NAND 투자의 빅싸이클 (Big Cycle)이 진행될 전망
1. 2017년 메모리반도체산업의 성장동력은 여전히 3D NAND!!
1) 2016년 및 2017년 메모리반도체산업은 3D NAND가 성장의 중심
글로벌 메모리반도체업체들의 투자는 DRAM보다는 3D NAND에 집중되고 있다. 지금 산업 전반적으로 시작되고 있는 '제4차 산업혁명'은 인공지능 플랫폼 기반의 새로운 서비스들(자율주행서비스, 로봇서비스, 헬스케어서비스, VR서비스, 스마트홈서비스 등)을 추진해, 인구고령화와 노동인구의 감소, 과잉CAPA 등에 직면하고 있는 선진국의 산업 구조에서 비효율을 제거해 생산성을 높이는 동시에 삶의 질을 향상시키는 것 이 핵심이다. 이러한 새로운 산업의 전개는 대량의 데이터 유통과 대용량의 콘텐츠 소비로 이어지면서, 저장메모리 수요가 크게 증가하고 서버 투자의 필요성이 증대함에 따라, 반도체업체들의 3D NAND 투자가 더욱 가속되고 있는 것이다.
도표 1 인공지능(AI) 플랫폼 기반의 새로운 산업이 활발하게 전개될 전망
2016년에 들어오면서 스토리지업체들 뿐만 아니라 스마트폰업체들 역시 3D NAND를 탑재하면서 삼성전자가 공격적으로 투자를 진행하고 있으며, 후발주자들인 SK하이닉스와 미국의 Micron Technology, Intel, 일본의 Toshiba 역시 3D NAND 투자에 나서고 있다.
삼성전자는 중국 시안라인과 국내에서 공격적인 3D NAND 투자를 진행하고 있으며, 1Q17 이후 본격적으로 가동될 예정인 평택반도체라인이 3D NAND 수요 급증으로 앞당겨 가동될 것으로 전망된다.
후발주자인 SK하이닉스와 일본의 Toshiba, 미국의 Micron Technology, Intel 모두 3D NAND라인을 2H16 이후 본격적으로 가동할 것이며, 3D NAND 공정의 어려움을 고려할 경우 상당기간 양산수율 확보에 어려움을 겪을 수 있겠지만, 삼성전자가 독주하고 있는 3D NAND 투자는 2016년 이후 모든 업체들로 확산될 것으로 예상된다.
2) 2017년 3D NAND 투자의 빅싸이클(Big Cycle)이 진행될 전망
2016년에 본격화된 메모리반도체업체들의 3D NAND 투자는 2017년에 더욱더 확대될 것으로 판단된다. 우선적으로, 삼성전자는 1Q17부터 16-2라인에서 월 4만장의 CAPA를 가동하며 3D NAND시장을 주도해 나갈 것이다. 또한, 시장 수요 확대에 적극적으로 대응하기 위해 평택반도체라인의 가동시점을 1Q17 이후 로 앞당겨서 진행할 것이며, 2017년에 총 월 8만장의 CAPA를 가동할 것으로 예상된다.
SK하이닉스 역시 4Q16부터 48단 3D NAND의 양산을 시작하면서 2017년에는 3D NAND에 대한 투자를 확대할 것으로 판단된다. 청주 2D NAND라인을 3D NAND로 전환하는 투자를 지속할 뿐만 아니라, 이천 M14라인에서 3D NAND 전용라인 투자를 월 4만장 규모로 진행할 것으로 전망된다.
일본 Toshiba는 Yokaichi FAB2에서 3D NAND로 전환하는 투자를 2016년부터 진행하고 있으며, 전용라인인 신규 FAB은 2017년에 건설해서 2018년부터 본격적으로 양산할 계획이다. Toshiba는 2018년까지 3D NAND 중심으로 8,600억엔(약 9.35조원)을 투자할 것이라고 발표하였다.
미국의 Micron Technology는 3D NAND 생산을 싱가폴 FAB 10X에서 2H16부터 본격 가동할 것으로 알려져 있다. 총 투자규모는 US$40억(약 4.58조원)을 상회하며, 2D라인을 3D라인으로 전환하여 진행하고 있다.
지금까지 NAND 플래시메모리 사업을 Micron Technology와 함께 진행해왔던 Intel은 중국 대련(Dailen) 에 단독으로 US$55억(약 6.3조원)을 투자해서 2H16부터 양산할 계획이다. 차세대 성장동력으로 스토리지 및 클라우드시스템사업부에 집중하고 있는 Intel은 경쟁력 강화를 위해 3D NAND 투자에 독자적으로 나서 고 있는 것으로 판단된다.
상기와 같이, 글로벌 메모리반도체들의 3D NAND 투자 확대로 2016년 전체 투자규모는 31.2%yoy 증가한 US$118.2억(13.53조원)에 이를 것이며, 2017년에는 24.2%yoy 증가한 US$146.8억(16.8조원)을 달하며 사상최대를 기록할 것으로 예상된다.
3) 2017년 3D NAND 투자가 대폭적으로 확대되는 이유 → ‘제4차 산업혁명’ 본격화로 시장 수요가 폭발적으로 증가할 전망
글로벌 반도체업체들이 3D NAND에 대대적인 투자를 하고 있고, 메모리반도체를 1990년대에 떠나갔던 미 국 Intel이 재차 3D NAND에 단독으로 투자를 나서는 것은 시장 수요의 폭발적인 성장에 기인하고 있다.
현재 미국 구글(Google)을 중심으로 한 글로벌 IT업체들이 주도하고 있는, 인공지능 플랫폼기반의 새로운 서비스를 통해 산업의 생산성을 높이고 인간의 삶을 편리하게 하고자 하는 '제4차 산업혁명'은 이제 시작되 고 있다. '제4차 산업혁명'의 출발은 '빅데이터(Big Data)'에서 시작하는 것이며, 결국 대용량의 데이터를 저 장하고 소비하고, 동시에 수많은 데이터를 유통하기 위해서는 3D NAND와 같은 저장메모리와 DRAM과 같은 기억소자에 대한 수요가 급격히 증가하고 있는 것이다.
2017년 NAND 플래시메모리 수요는 43% 증가할 것이며, 시장 수요의 성장원은 SSD와 스마트폰일 것으 로 판단된다. SSD의 탑재용량은 2016년 303GB에서 2017년에는 34% 증가한 405GB에 달할 것이며, 2018년에는 510GB에 이를 것으로 예상된다.
스마트폰향 탑재용량 역시 2017년에는 듀얼카메라 보급과 대용량의 콘텐츠 저장 및 소비 등으로 27% 증가 한 28GB일 것이며, 2018년에는 36% 증가한 38GB에 달할 것으로 전망된다.
4) 삼성전자의 초격차 전략이 3D NAND에서 비상(飛上)하고 있다
2013년 8월 3D NAND 양산을 발표한 삼성전자는 1Q14부터 중국에서 본격적으로 생산하면서 3D NAND 시장에서의 독주가 시작되었다. 데이터의 대용량화와 데이터들의 막대한 유통이라는 산업의 흐름에 맞춰 3D NAND에 선제적인 투자에 나선 삼성전자는 후발업체들과의 기술격차가 3년 벌어진 것으로 평가되고 있으며, 2016년에 이어 2017년에도 공격적인 투자에 나서면서 시장에서의 주도적 위치는 더욱더 강화될 것 으로 판단된다.
삼성전자가 처음으로 양산하는 3차원 수직구조 NAND 플래시메모리(3D Vertical NAND, 3D V-NAND) 는, 수평적 셀구조에서 수직적 셀구조로 변화시킨 개념이다. 즉, 선폭을 줄여 생산량을 높이는 경쟁에서 이 제는 셀구조를 적층해서 용량을 늘리는 경쟁으로 전환되는 것을 의미한다.
NAND 플래시메모리의 미세공정이 10나노급으로 전환되면서 어려워짐에 따라, 제조공정기술을 미세화하지 않고 적층을 통해 대용량화와 수명향상을 동시에 추구할 수 있는 3D NAND 기술이 부각되었다. 따라서, 당사는 3D NAND 출시로 인해 NAND 플래시메모리의 대용량화와 원가를 대폭 낮출 수 있어 SSD시장 성 장이 가속될 것이며, 5년 안에 1TB급 SSD까지 양산하겠다며 기술을 주도하고 있는 삼성전자가 NAND 플 래시메모리산업에서 절대적 독주체제를 확고히 할 것으로 판단한다.
3D NAND는 기존 20나노급 제품대비, 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상되고, 쓰기속도는 2배 빨라지고, 쓰기 횟수는 2~10배 늘어나고, 소비전력은 절반으로 줄어드는 장점을 가지고 있다. 또한, 기존 의 2D NAND 플래시메모리의 SSD에 비해 3D NAND 플래시메모리를 내장한 SSD는 기판의 면적이 줄어 들어 경박단소화에도 유리하다.
3D NAND가 부각되면서 공정기술의 변화가 주목을 받고 있다. 기존라인에서 전환하는데 드는 비용이 크지 않은 것으로 알려져 있는 3D NAND 적용은 중국 시안라인을 시작으로 점진적으로 확대될 것으로 판단된다.
3D NAND에서는 노광장비의 중요도가 축소되는 반면, 증착 및 식각공정의 기술적 난이도와 스텝수가 증가 한다. 미세공정이 중요하던 반도체공정에서는 노광공정이 가장 중요한 공정으로 부각되었지만, 3D NAND 기술에서는 식각공정(Etching)과 증착공정(CVD공정), CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정이 주목 을 받을 것으로 판단된다. 증착공정이 기존 공정대비 4~6배 증가하고, 막질을 평탄화하는 CMP공정 역시 증가하고, 높은 단에서 낮은 단으로 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 식각기술들이 부각될 것이다.
3D NAND 기술이 향후 시장의 주류로 자리를 잡게 될 경우에, 에칭공정에 사용되는 식각액을 제조하는 '솔 브레인'과 CMP공정에 사용되는 CMP Slurry업체(솔브레인, 케이씨텍), CVD 장비업체(원익IPS, 테스)들이 수혜를 받으며 성장할 것으로 예상된다.
2. 2017년에도 반도체 장비/소재업체들에 주목하자!!
1) 1H17 장비업체에 대한 투자 매력도가 재차 증가할 전망 2017년 메모리반도체업체들의 투자는 3D NAND를 중심으로 대폭적으로 증가할 것이
며, 이에 더하여 DRAM에서의 미세공정전환 투자가 지속될 뿐만 아니라, 일부 물리적 CAPA 감소분을 극복하기 위해 추가 투자가 진행될 것으로 예상된다.
2017년 반도체 장비업체들이 글로벌 반도체업체들의 3D NAND 투자 확대로 크게 수혜를 받을 것이며, 당 초 예상보다 큰 규모로 투자가 진행될 것이라는 시각이 1H17에 집중적으로 부각되면서 반도체장비업체들 에 대한 투자매력도가 증가할 것으로 판단된다. 따라서, 주가 조정을 받고 있는 현 시점이 투자의 적기(適 期)로 판단된다.
당사는 삼성전자의 3D NAND 투자에서 가장 큰 수혜를 받고 있는 국내의 반도체 장비업체 중에서 기술경쟁력 이 높은 '원익IPS(240810.KQ, BUY, 목표주가 30,000원)'와 '테스(095610.KQ, BUY, 목표주가 26,000원)', '주성엔지니어링(036930.KQ, BUY, 목표주가 15,000원)'에 대해 주목할 것을 권고한다.
2) 2017년에는 반도체 소재업체들에 집중하자!!
지금부터는 2H16 이후 3D NAND 신규라인 가동으로 실적이 크게 개선되는 동시에 Valuation 매력도가 높은 반도체 소재업체들에 대해 관심 확대가 필요한 시점으로 판단된다. 반도체 소재업체들의 실적이 반도체라인이 가동되는 시점부터 본격적으로 개선되기 때문에, 2017년 및 2018년 실적이 대폭적으로 개선될 전망이다.
당사는 NF3 수요 증가에 의한 실적 성장 및 사업영역 확대를 가속하고 있는 'SK머티리얼즈(036490.KQ, BUY, 목표주가 210,000원)'와 반도체부문 실적이 지속적으로 개선되고 있는 '솔브레인(036830.KQ, BUY, 목 표주가 85,000원)', TFT-LCD용 소재시장에서 안정적인 실적 기반을 바탕으로 반도체용 소재에서 새로운 성장동력을 강화하고 있는 '이엔에프테크놀로지(102710.KQ, BUY, 목표주가 30,000원)', 국내 쿼츠부문에서 높 은 시장 지배력을 확보하는 동시에 신규사업을 확대하고 있는 '원익QnC(074600.KQ, BUY, 목표주가 25,000 원)'에 대해 Top Picks로 추천한다.
II. 2017년 DRAM산업 투자축소효과로 호조세를 지속할 전망
1. 2016년 DRAM산업은 제한적 공급 증가와 예상보다 양호한 수요 등으로 회복세 전환 → 2H16에도 DRAM가격 강세 지속될 것으로 예상
1) 2016년 DRAM산업 제한적 물량 증가와 양호한 IT 수요로 2Q16부터 회복세 전환
2016년 DRAM산업은 공급업체들의 제한적인 물량 증가 속에서 견조한 미국 경기와 중국 경기의 안정세, 원자재가격 상승에 따른 신흥국 수요 회복 등으로 IT 수요가 당초 우려보다 선전을 하면서 2Q16부터 빠른 회복세를 시현하였다.
특히, 2Q16부터 DRAM산업이 빠르게 회복될 수 있었던 것은, 중국을 중심으로 한 신흥시장에서의 스마트 폰 수요 회복과 중국 스마트폰업체들의 시장점유율 확대를 위한 스펙 경쟁, 이에 따른 고용량의 DRAM 및 NAND 플래시메모리 수요 호조 등에 기인한 것으로 판단된다.
2) 2016년 세계 IT 수요는 중국을 중심으로 한 신흥시장 수요 회복과 견조한 미국시장 수 요 등으로 개선세 전환 → 여전히 IT산업의 저성장국면 지속
2014년 이후 IT산업은 1) 세계 경기 둔화 속에 2) IT산업 3대축인 스마트폰과 TV, PC(태블릿PC 포함) 수 요를 견인할 새로운 킬러앱(Killer Application) 부재, 즉 새로운 것이 없다는 점 때문에 당초 기대에 크게 미치지 못하는 저성장을 보이고 있다.
2015년 세계 PC산업은 미국을 중심으로 한 전반적인 수요 부진과 노트북PC 수요 감소, 중국을 중심으로 한 신흥국 수요 약화 등으로 크게 악화되었다. 2014년 2.1%yoy 감소에 이어, 2015년 PC 판매량은 10.6%yoy 감소한 2.76억대에 그쳤다.
2015년 세계 LCD-TV시장은 미국과 유럽의 선진국시장뿐만 아니라 중국 및 러시아 등을 중심으로 한 신 흥시장 수요도 약화되면서 미국경기 호조와 대형 및 4K를 포함한 프리미엄 LCD-TV 수요 증가를 바탕 등 으로 성장할 것이라는 당초 기대를 완전히 무색하게 만들었다. 2015년 세계 LCD-TV 판매량은, 1) 유럽 및 중국을 중심으로 한 신흥국 수요 부진과 2) 세트업체들의 수익성 악화에 의한 마케팅 약화 등으로 0.4%yoy 감소한 2.24억대에 그치며 시장의 우려가 확대되었다.
2016년 세계 PC 판매량은 신흥시장 수요 회복을 발판으로 5.4%yoy 감소한 2.61억대를 기록하며 전년대 비 회복세를 시현할 것으로 전망되는 점은 긍정적이다. 하지만, 여전히 수요를 견인할 킬러앱(Killer Application) 부재로 저성장국면은 지속될 것으로 판단된다.
2016년 LCD-TV 판매량은 신흥시장에서의 대형 TV 및 UHD급을 중심으로 한 프리미엄제품 수요가 1.0%yoy 증가한 2.26억대를 기록하며 완만한 회복세를 시현하겠지만, 여전히 저성장의 늪에서 벗어나지 못할 것으로 예상된다.
2007년 이후 IT산업의 혁신의 아이콘으로 통하던 스마트폰과 태블릿PC시장 역시 수요 둔화의 늪에 빠져들 고 있다. 특히, 태블릿PC시장의 성장성은 1) 사용자 혁신성 약화와 2) 교체주기의 연장 등으로 빠르게 약화 되어 2015년 세계 태블릿PC 판매량은 9.9% 감소한 2.07억대에 그쳤으며, 2016년 판매량 역시 5.9% 감소 한 1.95억대를 기록할 것으로 전망된다.
2007년 이후 IT산업 성장을 이끌었던 스마트폰시장의 성장성 역시 세계 경기 둔화와 애플을 중심으로 한 하이엔드 스마트폰의 혁신성 약화 등으로 둔화되고 있다. 2015년 세계 스마트폰 판매량은 10.4%yoy 증가 한 14.37억대를 기록하면서 성장세 약화가 명확해지기 시작하였으며, 2016년 스마트폰 판매량 역시 5.7%yoy 증가한 15.19억대에 그칠 것으로 예상된다.
3) 2Q16부터 DRAM가격 바닥에서 탈출 → 2H16 DRAM가격은 강세 지속될 전망
DRAM가격은 1Q16부터 계절적 비수기 속에서 IT 수요 약세, 미국 Micron Technology의 미세공정전환에 따른 공급량 증가 등으로 하락세를 이어갔으며, 2Q16에도 수요 약세와 공급물량의 꾸준한 증가 등으로 약 세를 면치 못하였다.
하지만, 끝없이 추락할 것이라는 우려가 2Q16 후반부터 반전되기 시작하였다. 삼성전자의 공격적인 3D NAND 투자 및 완만한 속도의 18nm 공정전환과 SK하이닉스 및 미국 Micron Technology의 20nm 전환 차질 등으로 DRAM의 공급제한은 지속되고 있는 상황 속에서, 중국 스마트폰업체들이 스펙 경쟁을 하면서 고용량의 DRAM 수요가 빠르게 증가함에 따라 DRAM가격은 상승세로 전환되기 시작하였다.
PC용 DRAM가격 역시 모바일용 DRAM 중심의 생산 확대에 따른 공급 축소 우려가 가중되면서 PC OEM 업체들을 중심으로 한 시장참여자들의 수요가 살아나기 시작하였으며, 당초 우려보다는 신흥국 및 기업용 PC 수요가 견조하고, VR시장 개화로 PC당 탑재용량이 증가하면서 2H16에 큰 폭으로 상승하고 있다. 이렇 듯 DRAM가격은 2H16에 강세를 지속할 것으로 예상된다.
2. 2016년 메모리반도체 공급업체에서 새로운 변화가 시작되다
1) DRAM산업 3강체제로 재편 → 2013~2015년 사상최대의 호황국면 기록
2012년 2월 일본 엘피다(Elpida)의 파산보호 신청과 미국 Micron Technology의 엘피다 인수 이후, DRAM산업은 3강체제로 재편되면서 2013년부터 호황국면에 진입하였다. 업체들의 합리적인 공급 증가와 스마트폰시장 성장 및 서버 투자 확대에 의한 수요 확대 등으로 DRAM산업 호황은 3여년에 걸쳐 진행되면 서, 2014년과 2015년에 걸쳐 세계 DRAM 매출액은 사상최대를 기록하였다.
삼성전자와 SK하이닉스를 포함한 DRAM 공급업체들 모두 사상최대의 실적을 달성하였다. 2012년 영업적 자 2,386억원을 기록하였던 SK하이닉스는 2013년 영업이익 3.38조원, 2014년 영업이익 5.11조원을 기록 하였으며, 2015년에는 영업이익 5.34조원에 달하면서 사상최대실적을 기록하였다.
2) DRAM산업과 NAND 플래시메모리산업에서 삼성전자의 경쟁력은 더욱더 강화 → 2위 그룹들의 경쟁력 약화 가속
장기간에 걸쳐 호황을 보이던 DRAM산업에서 2015년부터 변화가 발생하기 시작하였다. SK하이닉스와 미 국 Micron Technology의 공정전환 차질이 지속되고 있는 것이다. 반면, 삼성전자는 20nm 공정으로 순조 롭게 전환하였을 뿐만 아니라, 2016년에는 18nm 공정전환을 진행하면서 경쟁력 격차가 1년 6개월에서 2 년 정도 벌어지고 있는 것으로 추정된다.
삼성전자는 순조로운 공정전환을 통해 2Q16 DRAM 시장점유율 47.8%를 기록하며 사상최고치를 달성하였 지만, SK하이닉스는 2Q13에 시장점유율 29.5%를 기록한 이후 지속적으로 하락하여 2Q16기준 시장점유 율 26.3%를 기록하고 있다. 일본 엘피다 인수로 4Q13 시장점유율 28.4%까지 올라갔던 미국 Micron Technology 역시 공정기술 전환 차질로 시장점유율이 지속적으로 하락하고 있으며, 2Q16에 시장점유율 19.8%에 그치면서 경쟁력이 빠르게 약화되고 있다.
DRAM산업뿐만 아니라 NAND 플래시메모리산업에서도 삼성전자의 경쟁력은 더욱 강화되고 있는 반면, 경 쟁업체인 일본 Toshiba와 미국 Micron Technology, SK하이닉스는 3D NAND 투자에 뒤늦게 나서면서 기술경쟁력 격차는 3년 정도 벌어지고 있으며, 실적 악화로 향후 3D NAND 투자에 대한 부담감은 더욱더 가중되어 시장점유율 격차는 확연하게 벌어질 것으로 판단된다.
3) 메모리반도체산업을 지배하고 있는 삼성전자의 경쟁력
삼성전자가 DRAM산업과 NAND 플래시메모리산업에서 절대적 시장지배력을 보이며 경쟁업체대비 월등히 앞서가고 있는 이유에 대해 주목해야 할 것이다.
첫째, 세트사업과 부품사업을 모두 가지고 있는 종합 IT업체인 삼성전자는 차세대 IT산업의 방향성에 대해 정확히 인지하고 있어 상대적으로 미래 기술 투자에 대해 앞서나갈 수 있었던 것으로 판단된다. 지금 전세 계적으로 IT산업에서 확실하게 투자가 일어나고 있는 분야인 3D NAND와 플렉서블 OLED산업에서, 삼성 전자와 삼성디스플레이는 경쟁업체대비 2~3년 앞서 차세대 기술에 대해 선제적인 투자를 진행하면서 독점 적 경쟁력을 확보하고 있다. 각 산업별로 절대강자만 살아남고 있는 현재 IT산업에서 삼성전자는 메모리반 도체와 디스플레이산업에서 미래 기술을 선도하며 시장지배력을 확고하게 강화하고 있는 것으로 판단된다.
둘째, 우수한 사업부 포트폴리오에서 나오는 뛰어난 이익 창출능력이다. 즉, 경쟁업체대비 월등히 뛰어난 실 적이 DRAM과 NAND 플래시메모리의 대규모 투자에 대한 부담을 극복시켜주고 있는 것이다. 2015년 이 후 경쟁업체들이 3D NAND 투자에 시작하고 있는 반면, 삼성전자는 2013년부터 글로벌 업체대비 월등히 앞선 시점에서 선제적 투자를 진행하였다. 삼성전자는 대규모 투자와 초기 수율 부진 등으로 3D NAND부 문에서 2014년 큰 폭의 적자를 기록하였지만, 우수한 사업부 포트폴리오에서 창출된 이익을 바탕으로 이를 극복하면서 NAND 플래시메모리시장에서 절대강자로 완전히 등극하게 되었다.
셋째, 더욱더 강화되고 있는 장비/소재업체들과의 협력관계에 주목해야 할 것이다. 삼성전자는 차세대 기술 에 대한 투자를 선도하면서, 관련된 장비/소재/부품업체들에 대한 의존도를 해외가 아닌 국내업체들 중심으로 높여가면서 그 시너지효과가 지금 제대로 나타나고 있다. 물론, 아직도 많은 분야에서 일본업체를 중심 으로 한 해외업체들에 대한 의존도가 상존하고 있지만, 차세대 메모리반도체와 디스플레이산업에서 한국의 장비업체와 소재업체들이 산업의 성장을 주도하고 있을 뿐만 아니라, 해외업체들과 경쟁할 수 있을 정도의 대형업체로 성장하고 있는 점에 주목해야 할 것으로 판단된다.
따라서, 삼성전자는 상기에 제시한 경쟁력을 바탕으로 DRAM산업과 NAND 플래시메모리산업에서 시장지 배력을 더욱더 강화하여 경쟁업체들과의 격차를 더욱더 확대시키며 독주할 것으로 예상된다.
3. 2017년 DRAM산업은 투자축소효과로 재차 호황국면 진입 예상
1) 2Q17부터 DRAM산업 재차 호조세 전환 전망
2017년 DRAM산업은 공급업체들의 투자축소효과가 나타나면서 공급물량 증가세 약화와 완만한 수요 개선 등으로 호조세를 지속할 것으로 판단된다. 즉, 2017년 업황은 수요요인보다 공급요인에 의해 호조세를 지속 하는 특성을 보일 것으로 예상된다.
2017년 PC 판매량은 2.0% 감소한 2.56억대를 기록하며 역성장세가 둔화될 것이고, 스마트폰 판매량 (16.31억대) 역시 7.4%yoy 증가로 완만하게 회복될 것으로 판단됨에 따라, DRAM 수요 증가율은 22% 증 가할 것으로 전망된다. 반면, 2017년 DRAM 공급증가율은 2Q15 이후 진행된 DRAM 업황 약화로 공급업체들의 투자축소와 공정전환의 어려움, 이에 따른 제한적 물량 공급 등으로 19%yoy 증가에 그칠 것으로 예상된다.
특히, 삼성전자의 18nm 공정전환은 상대적으로 순조롭게 진행되겠지만, 20nm 전환에 어려움을 겪었던 SK하이닉스와 미국 Micron Technology의 18nm 전환시점이 상대적으로 늦어지면서 DRAM 공급증가는 제한적으로 이루어질 것이며, 따라서 2017년 DRAM산업은 2Q17부터 회복될 것으로 판단된다.
2) 2Q17부터 DRAM가격 재차 강세로 전환 예상
2017년 DRAM가격은 계절적 비수기인 1Q17 이후 빠르게 회복세로 전환될 것으로 판단된다. 글로벌 IT 수요가 견조한 가운데, 공급업체들의 투자축소효과가 크게 나타나면서 DRAM가격은 2Q17부터 상승세로 전환할 것이며, 특히 2H17로 갈수록 가격 강세가 확연하게 나타날 것으로 예상된다.
단지, 계절적 비수기와 시장참여자들의 일시적 재고조정기가 맞물리는 1Q17에는 DRAM가격의 단기적 조 정이 일어나겠지만, 삼성전자의 스마트폰 신제품